TSM80N1R2CL C0G
Hersteller Produktnummer:

TSM80N1R2CL C0G

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM80N1R2CL C0G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK)

Inventar:

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TSM80N1R2CL C0G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
685 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262S (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Basis-Produktnummer
TSM80

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TSM80N1R2CL C0G

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
TSM80N1R2CL C0G-DG
TSM80N1R2CLC0G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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